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IRF7469PBF

Produktcode: 86003

Hersteller: IR
Uds,V: 40 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 15,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/15
JHGF: SMD

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IRF7469PBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 9 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2000 @ 20; Qg, нКл = 23 @ 4,5 B; Rds = 12 мОм @ 9 А, 10В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8

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IRF7469PBF

Hersteller : International Rectifier HiRel Products

infineon-irf7469-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC Tube

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IRF7469PBF

Hersteller : International Rectifier

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

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IRF7469PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF7469_DataSheet_v01_01_EN-1732582.pdf

MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 17mOhms 15nC

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