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IRF840PBF

IRF840PBF vishay

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Produktcode: 221455
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Hersteller: vishay
Gehäuse: TO-220AB
Vces: 500 V
Vce: 8 A
Ic 25: 0,85 Ohm
Ic 100: 1300/63
td(on)/td(off) 100-150 Grad: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 182602
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Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 190 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840PBF
Produktcode: 182602
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IRF840PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 190 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
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134+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.4 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.54 EUR
76+1.9 EUR
100+1.76 EUR
250+1.58 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 8840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.9 EUR
50+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.3 EUR
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 3606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF Vishay/IR IRF840_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.43 EUR
41+1.76 EUR
47+1.54 EUR
61+1.17 EUR
100+1.1 EUR
250+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4990 Stücke:
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1+3.96 EUR
10+2.22 EUR
100+1.83 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.35 EUR
5000+1.25 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
134+1.1 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 145 Stücke:
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AnzahlPreis
134+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+1.4 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
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AnzahlPreis
1000+1.4 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
58+2.54 EUR
76+1.9 EUR
100+1.76 EUR
250+1.58 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 8840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+6.9 EUR
50+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.3 EUR
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF840PBF VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 3606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 12 Stücke:
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IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
30+2.43 EUR
41+1.76 EUR
47+1.54 EUR
61+1.17 EUR
100+1.1 EUR
250+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.96 EUR
10+2.22 EUR
100+1.83 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.35 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH