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IRF9540NSPBF

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Produktcode: 62471
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 117 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1450/73
Montage: SMD
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Technische Details IRF9540NSPBF IR

  • MOSFET, P, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.117ohm
  • Power Dissipation:140W
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:23A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
  • Pulse Current Idm:27A
  • SMD Marking:IRF9540NS
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Voltage Vds:100V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9540NSPBF IRF9540NSPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9540NSPBF Vishay irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
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IRF9540NSPBF IRF9540NSPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf description MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
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IRF9540NSPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9540NSPBF description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
IRF9540NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Hersteller: Vishay
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
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IRF9540NSPBF
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MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+110°С
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Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
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Ausgangsspannung Uausg, V: 300 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: -
Betriebstemperatur, °C: -
Kanalanzahl: 1
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Montage: SMD
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Relais N4078-2C-12V-0.2W
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Relaistyp: Miniaturrelais
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 12VDC; I-Schalt: 1A / 125VAC, 24VDC
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Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 1 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 125 VAC; 30 VDC
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 71 St.
  • 71 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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