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IRF9630PBF

IRF9630PBF

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1989 Stücke:
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IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY IRF9630PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
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70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay Semiconductors IRF9630%2CSiHF9630.pdf MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
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1+2.9 EUR
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay Siliconix IRF9630%2CSiHF9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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3+5.95 EUR
50+3.01 EUR
100+2.73 EUR
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IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY VISH-S-A0019268319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 210 Stücke:
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Anzahl Preis
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1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
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Anzahl Preis
87+1.67 EUR
98+1.46 EUR
102+1.37 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Anzahl Preis
75+1.87 EUR
107+1.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 75
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.9 EUR
108+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
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IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
auf Bestellung 4046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.9 EUR
10+2.11 EUR
2000+1.99 EUR
5000+1.34 EUR
10000+1.22 EUR
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.95 EUR
50+3.01 EUR
100+2.73 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832
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rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 3895 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30000 St.:
30000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17658
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 4,7 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 1150 St.
erwartet: 25000 St.
25000 St. - erwartet 10.08.2026
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 225 St.
2 St. - stock Köln
223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4035
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
P2N2222A.pdf
2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT
verfügbar: 6458 St.
4 St. - stock Köln
6454 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano)
Produktcode: 2981
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ECR_081225.pdf
100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 9352 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.048 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.022 EUR
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