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IRF9630PBF

IRF9630%2CSiHF9630.pdf
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY IRF9630PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay irf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay Semiconductors IRF9630%2CSiHF9630.pdf MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
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IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY VISH-S-A0019268319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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IRF9630PBF IRF9630PBF Vishay Siliconix IRF9630%2CSiHF9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 511 Stücke:
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.59 EUR
84+2.02 EUR
94+1.73 EUR
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IRF9630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
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IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 17832
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rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 17658
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rc_series_20150401_1.pdf
4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1150 St.
  • 1150 St. - stock Köln
auf Bestellung: 24600 St.
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1000+0.011 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
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auf Bestellung: 211 St.
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100+0.55 EUR
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2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4035
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P2N2222A.pdf
2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5175 St.
  • 5175 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
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100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2981
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ECR_081225.pdf
100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 6026 St.
  • 6026 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.075 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.043 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH