IRF9Z14
Produktcode: 40267
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Id,A: 6.7
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
/: THT
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
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Möglichen Substitutionen IRF9Z14 IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
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Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.175 Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 /: THT |
verfügbar: 235 Stück
16 Stück - stock Köln
219 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
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IRF9Z14 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF |
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