IRFB4020PBF
Produktcode: 55927
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
verfügbar 14 Stück:
6 Stück - stock Köln
8 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.4 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud |
auf Bestellung 4047 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V |
auf Bestellung 17919 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation | MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRS2092SPBF Produktcode: 26019 |
Hersteller: Infineon
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SOIC-16
U Strom, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Bemerkung: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SOIC-16
U Strom, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Bemerkung: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 31650 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 375 Stück
erwartet:
3000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.1 EUR |
100+ | 0.07 EUR |
1000+ | 0.063 EUR |
47uF 25V ECR 5x11mm (ECR470M25B-Hitano) Produktcode: 3376 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
erwartet:
10000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.022 EUR |
100+ | 0.011 EUR |
1000+ | 0.01 EUR |
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 707 Stück
erwartet:
100 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.88 EUR |
10+ | 0.79 EUR |
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3243 |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 4900 Stück
erwartet:
20000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0042 EUR |
100+ | 0.0036 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |