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IRFB4020PBF

IRFB4020PBF

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Produktcode: 55927
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
54+1.34 EUR
71+1.02 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
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177+0.8 EUR
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2000+0.58 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
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5000+0.73 EUR
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500+2.1 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - MOSFET, N-KANAL, 200V, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB4020PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB
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IRFB4020PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
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IRFP460A
Produktcode: 22361
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description irfp460A.pdf
IRFP460A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
JHGF: THT
verfügbar: 3 St.
erwartet: 150 St.
150 St. - erwartet 23.04.2026
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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1+0.98 EUR
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2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3450
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C07-MultiCap1.pdf
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5U
Präzision: ±20% M
Abmessungen: Dmax=11mm
Part Nummer: JD222MY5U Y1
Клас: Y1
auf Bestellung 90 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet
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1+0.29 EUR
10+0.21 EUR
100+0.1 EUR
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470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano)
Produktcode: 2942
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ECR_081225.pdf
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 16х26mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 416 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
Anzahl Preis
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10+0.42 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
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STP20NM50
Produktcode: 2175
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STP20NM50.pdf
STP20NM50
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 40 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.46 EUR
10+2.14 EUR
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