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IRFB4020PBF

Name: IRFB4020PBF
Brand: IR
SKU: 55927
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05

Produktcode: 55927

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT

verfügbar 6 Stück:

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfb4020-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Hersteller : Infineon Technologies

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Hersteller : Infineon Technologies

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IRFB4020PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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66+	1.09 EUR
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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V

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1000+	0.84 EUR
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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN-3363182.pdf

MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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100+	0.84 EUR
500+	0.81 EUR

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IRFB4020PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4020PBF

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IRFB4020PBF

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IRFB4020PBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB

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IRFB4020PBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB

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IRFB4020PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640
Produktcode: 7926

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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT

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MBR0520LT1G
Produktcode: 25895

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Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOD-123
Vrrm(V): 20
If(A): 0,5
VF@IF: 0,38
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A

verfügbar: 9574 Stück

150 Stück - stock Köln
9424 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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TC4420CPA
Produktcode: 25999

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Hersteller: TI
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 20
I o +/-, A: 6
V out, V: 4,5-18
T on/T off, ns: 55/25
Bemerkung: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C

auf Bestellung 47 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRS2092SPBF
Produktcode: 26019

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Hersteller: Infineon
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SOIC-16
U Strom, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Bemerkung: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C

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1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 31650

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1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

auf Bestellung 4167 Stück:

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erwartet 50 Stück:

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