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IRFB4020PBF

IRFB4020PBF

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Produktcode: 55927
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
verfügbar 56 Stück:
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFB4020-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB
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IRFB4020PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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MBR0520LT1G
Produktcode: 25895
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MBR0520LT1G
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOD-123
Vrrm(V): 20
If(A): 0,5
VF@IF: 0,38
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A
verfügbar: 8295 Stück
150 Stück - stock Köln
8145 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.034 EUR
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TC4420CPA
Produktcode: 25999
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description 21419D.pdf
TC4420CPA
Hersteller: TI
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 20
I o +/-, A: 6
V out, V: 4,5-18
T on/T off, ns: 55/25
Bemerkung: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
auf Bestellung 115 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRS2092SPBF
Produktcode: 26019
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description irs2092-1225204.pdf
IRS2092SPBF
Hersteller: Infineon
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: SOIC-16
U Strom, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Bemerkung: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 31650
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EHR_081225.pdf
1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
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