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IRFB4020PBF

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Produktcode: 55927
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/18
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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166+1.05 EUR
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2000+0.86 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
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37+2.33 EUR
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53+1.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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58+3.05 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+3.37 EUR
55+3.19 EUR
100+3.02 EUR
250+2.86 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
auf Bestellung 5017 Stücke:
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1+3.69 EUR
10+1.77 EUR
100+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
5000+1.02 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
118+1.98 EUR
145+1.49 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF International Rectifier irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 750 Stücke:
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 581 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
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581+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
166+1.05 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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140+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18074 Stücke:
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448+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
448+1.48 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
448+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+2.33 EUR
47+1.83 EUR
53+1.62 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.05 EUR
166+0.99 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.37 EUR
55+3.19 EUR
100+3.02 EUR
250+2.86 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
auf Bestellung 5017 Stücke:
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10+1.77 EUR
100+1.51 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1426 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
62+4.07 EUR
118+1.98 EUR
145+1.49 EUR
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 750 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+6.25 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Produktcode: 9928
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X7R_X5R.pdf
100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 1812
Zolltarifnummer: 8532 24 00 00
auf Bestellung 2744 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
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10+1 EUR
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STP19NF20
Produktcode: 4750
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description STP19NF20.pdf
STP19NF20
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 78 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1 EUR
10+0.8 EUR
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2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3450
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JD222MY5UY1-A2.pdf
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2 nF
Nennspannung: 400 VAC
Dielektrikum-Code (TCC): Y5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: Dmax=11 mm
Part Number: JD222MY5U Y1
Klasse: Y1
auf Bestellung 15 St.:
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470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2942
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ECR_081225.pdf
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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