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IRFB4020PBF

IRFB4020PBF

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Produktcode: 55927
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/18
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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115+1.55 EUR
116+1.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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326+2.02 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.33 EUR
47+1.83 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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57+3.13 EUR
59+2.96 EUR
100+2.8 EUR
250+2.65 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
95+2.46 EUR
123+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
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1+4.74 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.48 EUR
5000+1.4 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.03 EUR
50+2.31 EUR
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500+1.65 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF International Rectifier irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+1.07 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.07 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3045 Stücke:
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139+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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115+1.55 EUR
116+1.51 EUR
128+1.33 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.92 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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106+1.68 EUR
107+1.59 EUR
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500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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101+1.74 EUR
102+1.67 EUR
118+1.39 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.82 EUR
5000+0.79 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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101+1.75 EUR
102+1.7 EUR
118+1.44 EUR
500+1.13 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18074 Stücke:
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326+2.02 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.62 EUR
10000+1.42 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
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326+2.02 EUR
500+1.8 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2792 Stücke:
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IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 344 Stücke:
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
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IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
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NIPPEL TO-220 Isolierbuchse für TO220, 6,1mm, max.130°C
Produktcode: 26109
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NIPPEL TO-220 Isolierbuchse für TO220, 6,1mm, max.130°C
Hersteller: Ninigi
Isoliermaterialien
Gruppe: Isolierbuchse
Beschreibung: Isolierbuchse für TO-220
Größe: Für Gehäuse TO-220
Material: Kunststoff
Farbe: Weiß
verfügbar: 454 St.
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erwartet: 8 St.
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IRFP460APBF
Produktcode: 22361
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irfp460A.pdf
IRFP460APBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3520/56
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 112 St.
  • 112 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.56 EUR
10+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Produktcode: 9928
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X7R_X5R.pdf
100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 1812
Zolltarifnummer: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 2746 St.
  • 2746 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
10000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20
Produktcode: 4750
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description STP19NF20.pdf
STP19NF20
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 78 St.
  • 78 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3450
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JD222MY5UY1-A2.pdf
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2 nF
Nennspannung: 400 VAC
Dielektrikum-Code (TCC): Y5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: Dmax=11 mm
Part Number: JD222MY5U Y1
Klasse: Y1
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet 29.08.2026
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
10+0.25 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH