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IRFB4020PBF

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Produktcode: 55927
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+2.8 EUR
55+2.65 EUR
100+2.51 EUR
250+2.38 EUR
500+2.28 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
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10+1.49 EUR
100+1.27 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.86 EUR
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF International Rectifier irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7182 Stücke:
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166+0.87 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8333 Stücke:
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140+1.05 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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448+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
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448+1.23 EUR
500+1.09 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2792 Stücke:
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448+1.23 EUR
500+1.09 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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37+1.96 EUR
47+1.54 EUR
53+1.36 EUR
72+1 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7183 Stücke:
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58+2.53 EUR
166+0.82 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
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5000+0.58 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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55+2.65 EUR
100+2.51 EUR
250+2.38 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
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1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFB4020PBF Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
auf Bestellung 5017 Stücke:
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1+3.1 EUR
10+1.49 EUR
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1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.86 EUR
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IRFB4020PBF
Hersteller: International Rectifier
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 750 Stücke:
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IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
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IRFB4020PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
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100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Produktcode: 9928
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X7R_X5R.pdf
100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1812
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 1812
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 2764 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.12 EUR
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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STP19NF20
Produktcode: 4750
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description STP19NF20.pdf
STP19NF20
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 15
Rds(on), Ohm: 0.16
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 80 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Produktcode: 3450
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JD222MY5UY1-A2.pdf
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 400VAC
TKE: Y5U
Präzision: ±20% M
Abmessungen: Dmax=11mm
Part Nummer: JD222MY5U Y1
Клас: Y1
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 29.10.2026
AnzahlPreis
1+0.29 EUR
10+0.21 EUR
100+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano)
Produktcode: 2942
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 16х26mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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