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IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

irfs4410-datasheet.pdf
Produktcode: 72936
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
auf Bestellung 15 St.:
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Technische Details IRFB4410PBF

  • MOSFET, N, 100V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:250W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:96A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:250W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:250W
  • Pulse Current Idm:380A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Capacitance Ciss:5150pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFB4410 IRFB4410
Produktcode: 211278
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Hersteller : IR IRFB4410.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
auf Bestellung 23 St.:
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
134+1.07 EUR
137+1.01 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 134
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
118+1.21 EUR
134+1.03 EUR
137+0.97 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.45 EUR
36+2.02 EUR
55+1.32 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+3.74 EUR
78+1.78 EUR
100+1.67 EUR
500+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.98 EUR
10+1.97 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.38 EUR
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.1 EUR
50+2.02 EUR
100+1.82 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4410PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 N-Channel HEXFET, TO-220, 100V
auf Bestellung 50 Stücke:
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1745 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-22K-Hitano)
Produktcode: 13796
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CR-S_080911.pdf
22 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-22K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 22 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 5299 St.
1200 St. - stock Köln
4099 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 13204 St.
1164 St. - stock Köln
12040 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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22 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-22R-Hitano)
Produktcode: 11070
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CR-S_080911.pdf
22 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-22R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 22 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 9040 St.
1200 St. - stock Köln
7840 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Produktcode: 6694
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EHR_081225.pdf
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4606 St.
1984 St. - stock Köln
2622 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH