IRFB4410PBF

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Produktcode: 72936

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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT

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Technische Details IRFB4410PBF

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	IRFB4410 Produktcode: 211278 1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt	Hersteller : IR	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 96 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120 JHGF: THT	auf Bestellung 71 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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	IRFB4410PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 23730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Anzahl Preis 132+ 1.08 EUR 136+ 1.02 EUR 500+ 0.92 EUR 1000+ 0.87 EUR Mindestbestellmenge: 132 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 23730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Anzahl Preis 118+ 1.22 EUR 133+ 1.04 EUR 137+ 0.97 EUR 500+ 0.88 EUR 1000+ 0.82 EUR Mindestbestellmenge: 118 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Anzahl Preis 30+ 2.45 EUR 36+ 2.02 EUR 55+ 1.32 EUR 100+ 1.04 EUR Mindestbestellmenge: 30 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC	auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Anzahl Preis 1+ 3.98 EUR 10+ 1.97 EUR 100+ 1.78 EUR 500+ 1.42 EUR 1000+ 1.38 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V	auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Anzahl Preis 5+ 4.1 EUR 50+ 2.02 EUR 100+ 1.82 EUR 500+ 1.46 EUR 1000+ 1.35 EUR 2000+ 1.26 EUR Mindestbestellmenge: 5 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : International Rectifier	N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Група товару: Транзистори Од. вим: шт	auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 5.03 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB4410PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 15 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106 2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm

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22 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-22R-Hitano) Produktcode: 11070 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 22 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm

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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) Produktcode: 6694 4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289 2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT

verfügbar: 1685 St.

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