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IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

irfs4410-datasheet.pdf
Produktcode: 72936
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 96 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120
Montage: THT
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Technische Details IRFB4410PBF

  • MOSFET, N, 100V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:250W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:96A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:250W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:250W
  • Pulse Current Idm:380A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Capacitance Ciss:5150pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 951 Stücke:
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44+1.98 EUR
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5970 Stücke:
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39+4.63 EUR
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 description Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4410_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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82+2.86 EUR
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IRFB4410PBF International Rectifier irfs4410pbf.pdf description N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
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IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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44+1.98 EUR
47+1.83 EUR
51+1.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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39+4.63 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
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IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
auf Bestellung 3660 Stücke:
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5000+1.67 EUR
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IRFB4410PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 3283 Stücke:
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82+2.86 EUR
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Hersteller: International Rectifier
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
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PBS-10 (Buchsen auf Platine, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
Produktcode: 22707
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PBS-10 (Buchsen auf Platine, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)PBS-10 (Buchsen auf Platine, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
PBS-10 (Buchsen auf Platine, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)PBS-10 (Buchsen auf Platine, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Funktionsbeschreibung: Buchsen einreihig auf Platine gerade, 10 Kontakte, Rastermaß 2.54mm
Stifte oder Buchsen: Buchse (Steckdose)
Rastermaß: 2,54 mm
Anzahl Reihen: einreihig
Anzahl Kontakte: 10
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.21 EUR
10+0.15 EUR
100+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano)
Produktcode: 19438
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NPO.pdf
4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 2856 St.
  • 2856 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 17856
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E5R_080319.pdf
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: E5R
Typ: Ultraminiatur (Höhe 5mm), 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x5 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 5538 St.
  • 5538 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 467 St.
  • 467 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH