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IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

irfs4410-datasheet.pdf
Produktcode: 72936
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 96 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120
Montage: THT
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFB4410PBF

  • MOSFET, N, 100V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:250W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:96A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:250W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:250W
  • Pulse Current Idm:380A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Capacitance Ciss:5150pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Möglichen Substitutionen IRFB4410PBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4410 IRFB4410
Produktcode: 211278
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IR IRFB4410.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 96 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120
Montage: THT
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IRFB4410
Produktcode: 211278
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IRFB4410.pdf
IRFB4410
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 96 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
136+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
133+1.26 EUR
137+1.19 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 description Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
50+2.4 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4410_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
auf Bestellung 3702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.01 EUR
100+2.43 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.73 EUR
5000+1.67 EUR
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IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4410PBF International Rectifier irfs4410pbf.pdf description N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
auf Bestellung 50 Stücke:
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1+6.16 EUR
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IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
132+1.32 EUR
136+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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118+1.48 EUR
133+1.26 EUR
137+1.19 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0
IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
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50+2.4 EUR
100+2.17 EUR
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2000+1.5 EUR
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IRFB4410PBF description Infineon_IRFS4410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB4410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
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10+3.01 EUR
100+2.43 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.73 EUR
5000+1.67 EUR
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IRFB4410PBF description INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4410PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 96A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1264 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 4387 St.
  • 1164 St. - stock Köln
  • 3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-22R-Hitano)
Produktcode: 11070
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CR-S_080911.pdf
22 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-22R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 22 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1254 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 54 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 6694
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EHR_081225.pdf
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, weiter Temperaturbereich 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 1984 St.
    erwartet: 10000 St.
    • 10000 St. - erwartet 29.10.2026
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.048 EUR
    10+0.036 EUR
    100+0.024 EUR
    1000+0.023 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF540NPBF
    Produktcode: 3289
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    		description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
    IRF540NPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220AB
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Idd, A: 33 A
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
    Montage: THT
    verfügbar: 1552 St.
    • 26 St. - stock Köln
    • 1526 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.05 EUR
    10+0.94 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH