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IRFB4710PBF

IRFB4710PBF

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Produktcode: 35455
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
JHGF: THT
auf Bestellung 34 Stück:
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1+2.2 EUR
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IRFB4710PBF IRFB4710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17632 Stücke:
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244+2.25 EUR
500+2.04 EUR
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10000+1.68 EUR
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IRFB4710PBF IRFB4710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4710PBF IRFB4710PBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS irfb4710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356166c541e46 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4710PBF - IRFB4710 - 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRFB4710PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfb4710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356166c541e46 TO-220AB
auf Bestellung 150 Stücke:
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IRFB4710PBF IRFB4710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4710PBF IRFB4710PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356166c541e46 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
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IRFB4710PBF IRFB4710PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4710_DataSheet_v01_01_EN-3363148.pdf MOSFETs MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC
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IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 387 Stück
5 Stück - stock Köln
382 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
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2,2 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-2R2-Hitano)
Produktcode: 164953
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
2,2 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-2R2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2,2 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 4520 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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75 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 9697
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rc_series_20150401_1.pdf
75 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 75 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 12710 Stück
5000 Stück - stock Köln
7710 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 8516
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
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erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0028 EUR
100+0.0016 EUR
1000+0.0009 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BC807-40
Produktcode: 3638
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BC807_.pdf
BC807-40
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
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100+0.022 EUR
1000+0.014 EUR
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