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IRFB7434PBF

IRFB7434PBF Infineon

Infineon-IRFB7434-DS-v01_02-EN.pdf
Produktcode: 171783
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,25 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10820/216
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21050 Stücke:
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109+1.59 EUR
112+1.52 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+2.82 EUR
1000+2.55 EUR
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Infineon Technologies irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
auf Bestellung 882 Stücke:
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4+5.84 EUR
50+2.93 EUR
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON INFN-S-A0006155718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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71+3.27 EUR
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IRFB7434PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21050 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRFB7434PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7434PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
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IRFB7434PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1237 St.
  • 1237 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF4007
Produktcode: 17804
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description UF4001-4007.pdf
UF4007
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Bemerkung: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Montage: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 1035 St.
  • 1035 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3851 St.
  • 3851 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.54 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1860 St.
  • 1860 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 25V ESX 8x12mm (low imp., 5000h) (ESX221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31682
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ESX_080418.pdf
220uF 25V ESX 8x12mm (low imp., 5000h) (ESX221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 279 St.
  • 279 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5677 St.
  • 5677 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.14 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TZMC15 15V 0.5W 5%
Produktcode: 57720
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TZMC15 15V 0.5W 5%
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Verlustleistung Pd, W: 0,5 W
Montage: SMD
auf Bestellung: 480 St.
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