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IRFB7434PBF

IRFB7434PBF Infineon

Infineon-IRFB7434-DS-v01_02-EN.pdf
Produktcode: 171783
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7434PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7434PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB7434_DS_v01_02_EN-1840543.pdf MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
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5+6.08 EUR
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0006155718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13301 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
IRF1404PBF
Produktcode: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 815 Stück:
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IRFB3307ZPBF
Produktcode: 37782		 irfs3307zpbf-datasheet.pdf
IRFB3307ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT
auf Bestellung 147 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.24 EUR
10+ 1.12 EUR
SR1060L
Produktcode: 160640		 sr1040l_sr10100l-datasheet.pdf
SR1060L
Hersteller: Yangjie/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Vrrm(V): 60 V
If(A): 10 А
VF@IF: 0,48 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 18 Stück:
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10uF 50V EXR 5x11mm (EXR100M50B-Hitano)
Produktcode: 14518		 EXR_080421.pdf
10uF 50V EXR 5x11mm (EXR100M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 3601 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10000 Stück - erwartet 08.06.2024
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