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IRFB7434PBF

IRFB7434PBF Infineon

Infineon-IRFB7434-DS-v01_02-EN.pdf
Produktcode: 171783
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.35 EUR
29+2.49 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB7434_DS_v01_02_EN-1840543.pdf MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
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1+4.44 EUR
10+2.59 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.85 EUR
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
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4+5.02 EUR
50+2.51 EUR
100+2.27 EUR
500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0006155718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7434PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5800 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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0,01 Ohm 1% 1W 2512 (RL2512JK-0R01 – Hitano)
Produktcode: 104933
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rl_20190531-hitano.pdf
0,01 Ohm 1% 1W 2512 (RL2512JK-0R01 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,01 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 200 V (500 V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 3950 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Термоусадочная трубка 6,0мм белая (термоусадка 6,0мм) (SB-RSFR-H | 6 | 6/3mm)
Produktcode: 176526
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info-sb-rsfr-h.pdf
Термоусадочная трубка 6,0мм белая (термоусадка 6,0мм) (SB-RSFR-H | 6 | 6/3mm)
Hersteller: Sunbow
Isoliermaterialien
Gruppe: Трубки термоусадочні
Beschreibung: Трубка термоусадочна, діам.до/після усадки: 6/3мм; колір:білий; температура стиснення +90°С; роб.темп. -55…+125°С; радіальне стиснення >50%, поздовжнє стиснення <5%; діелектрична міцність ≥AC2500V-60S, матеріал: поліолефін.
Größe: діам. 6,0мм
Матеріал: Поліолефін
білий
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220uF 50V EXR 10x16mm (EXR221M50B-Hitano)
Produktcode: 2008
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EXR_080421.pdf
220uF 50V EXR 10x16mm (EXR221M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 1232 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.20 EUR
10+0.12 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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2,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2081
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RC_series.pdf
2,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 2,2 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 1200 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.00 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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