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IRFB9N60APBF

IRFB9N60APBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFB9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 170W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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500+2.78 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay
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AnzahlPrivatkunde
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56+3.14 EUR
100+2.82 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 994 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
29+6.15 EUR
53+3.33 EUR
54+3.22 EUR
100+2.76 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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1+7.16 EUR
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 2635 Stücke:
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30+8.43 EUR
50+4.66 EUR
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IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A-PBF
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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