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IRFB9N60APBF VISHAY

Name: IRFB9N60APBF
Brand: VISHAY
SKU: 455272725-1
Price: 1.53 EUR
Availability: InStock

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Technische Details IRFB9N60APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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IRFB9N60APBF

Hersteller : VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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36+	2.03 EUR
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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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63+	2.39 EUR
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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFET 600V N-CH HEXFET

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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

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4+	4.88 EUR
50+	3.92 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.31 EUR

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IRFB9N60APBF

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0013276630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRFB9N60A-PBF

IRFB9N60A-PBF Транзисторы

auf Bestellung 104 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

IRFB9N60APBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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