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IRFB9N60APBF

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Produktcode: 143119
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.36 EUR
62+2.82 EUR
100+2.59 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.72 EUR
35+2.5 EUR
50+2.17 EUR
100+2.01 EUR
250+1.83 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1766 Stücke:
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1+6.22 EUR
10+3.36 EUR
100+2.95 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.45 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
50+3.27 EUR
100+2.95 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.24 EUR
2000+2.11 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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24+7.57 EUR
50+3.77 EUR
100+3.33 EUR
500+2.67 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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24+7.58 EUR
50+3.69 EUR
100+3.21 EUR
500+2.52 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.36 EUR
62+2.82 EUR
100+2.59 EUR
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IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFB9N60A-PBF
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ULN2003APG
Produktcode: 71849
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description uln2003apgdatasheet.pdf
ULN2003APG
Hersteller: Toshiba
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array
Montage: THT
Betriebstemperatur, °С: -40...85°C
Ausgangsstrom: 500 mA
Ausgangsspannung: 50 V
Anzahl der Kanäle: 7
verfügbar: 98 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 73 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
  • 300 St. - erwartet 25.07.2026
AnzahlPrivatkunde
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10+0.26 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE350CA
Produktcode: 24780
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1-5ke100ca.pdf
1.5KE350CA
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 350 V
Sperrspannung, Vrm: 300 V
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
auf Bestellung 124 St.:
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