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IRFB9N60APBF

IRFB9N60APBF Vishay

91103.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFB9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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20+3.66 EUR
36+2.02 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 3
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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10+3.24 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
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IRFB9N60APBF
Produktcode: 143119
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