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IRFB9N60APBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
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28+2.59 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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100+2.48 EUR
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Hersteller : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
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IRFB9N60APBF 91103.pdf TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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ULN2003APG
Produktcode: 71849
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ULN2003APG
Hersteller: TI
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Hochspannungs Transistorensammlung
Монтаж: THT
№ 4: -40...85C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
verfügbar: 115 St.
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90 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1.5KE350CA
Produktcode: 24780
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1-5ke100ca.pdf
1.5KE350CA
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 350
n: 284
n: 5,0
n: 504
Монтаж: THT
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