IRFB9N65APBF VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
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Technische Details IRFB9N65APBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm.
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IRFB9N65APBF Produktcode: 100724
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 650 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48 JHGF: THT |
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IRFB9N65APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFB9N65APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFB9N65APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFB9N65APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V |
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IRFB9N65APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |