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IRFB9N65APBF

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Produktcode: 100724
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 8,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,95 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1417/48
Montage: THT
auf Bestellung: 30 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF VISHAY VISH-S-A0013276648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
60+3.9 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB9N65APBF VISH-S-A0013276648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB9N65APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
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Flussmittel F3 30мл
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Beschreibung: Flussmittel F3, 30 мл, aktiviertes säurefreies Flussmittel; zum Löten von Leiterplatten, Kontakten, Steckverbindern, Stahl, Zink. Zusammensetzung: Alkohol, Kolophonium, Diethylaminchlorid, Triethanolamin; sicher für elektronische Bauteile.
Gewicht/Volumen/Menge: 30 ml
Konsistenz: Flüssig
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 24.07.2026
auf Bestellung: 46 St.
  • 46 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Beschreibung: Draht - Platine, "Stecker
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 6
Kontaktabstand: 2 мм
Steckverbinder-Serie: NXW
Montage: Platinenmontage
erwartet: 1160 St.
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auf Bestellung: 2 St.
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KX-3H 14.74560 MHz (20pF, 30PPM) (Quarzresonator)
Produktcode: 26464
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KX-3H.pdf
KX-3H 14.74560 MHz (20pF, 30PPM) (Quarzresonator)
Hersteller: Geyer/Strong
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz, Hz: 14,7456 MHz
Gehäuse: HC-49/U3H-Shoulder (ATS-49/U)
Typ: Quarzresonator
Lastkapazität, pF: 20 пФ
Stabilität bei 25°C: +/-30ppm
Montage: THT
HS-Code: 8541 60 00 00
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1860 St.
  • 1860 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.71 EUR
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FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild/ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 71 St.
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1+1.5 EUR
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