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IRFB9N65APBF

IRFB9N65APBF

irfb9n65apbf.pdf
Produktcode: 100724
Hersteller: IR
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
JHGF: THT
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91104.pdf MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB9N65APBF Hersteller : VISHAY 91104.pdf IRFB9N65APBF THT N channel transistors
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IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Hersteller : Vishay Siliconix 91104.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
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10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3689
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 8373 Stück
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7473 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 60000 Stück
60000 Stück - erwartet 26.09.2025
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1000+0.00 EUR
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1019 Stück
43 Stück - stock Köln
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22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2959
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ECR_081225.pdf
22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 7974 Stück
245 Stück - stock Köln
7729 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.01 EUR
1000+0.01 EUR
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1000uF 16V ECR 10x16mm (ECR102M16B-Hitano)
Produktcode: 2944
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ECR_081225.pdf
1000uF 16V ECR 10x16mm (ECR102M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 3722 Stück
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LD1117S33CTR
Produktcode: 2052
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LD1117 series.pdf
LD1117S33CTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 3.3
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: -40…150
verfügbar: 1154 Stück
20 Stück - stock Köln
1134 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
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100+0.22 EUR
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