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IRFBF30

IRFBF30

91122y65gf.pdf
Produktcode: 18169
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/78
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
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Technische Details IRFBF30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:3.6A
  • On State Resistance:3.7ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:900V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY IRFBF30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 3.7Ω
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 900V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.96 EUR
39+2.21 EUR
47+1.82 EUR
50+1.77 EUR
100+1.7 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFBF30 IRFBF30 Siliconix TIRFBF30_0031.pdf description N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFBF30PBF IRFBF30.pdf
IRFBF30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 3.7Ω
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 900V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 283 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFBF30 description TIRFBF30_0031.pdf
IRFBF30
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 24 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 19,6 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 938 St.
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100+0.032 EUR
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IRLR120NPBF
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Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 17 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0,055...0,09 %/°C
verfügbar: 80 St.
  • 80 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.031 EUR
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TL3845P
Produktcode: 22072
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl3842
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller im Strommodus
Eingangsspannung, V: 0...30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 200 mA
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung: 22 St.
  • 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 13 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 9,4 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 480 St.
  • 480 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.043 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.024 EUR
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