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IRFBF30

IRFBF30

91122y65gf.pdf
Produktcode: 18169
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 900
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 03.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
JHGF: THT
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Technische Details IRFBF30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:3.6A
  • On State Resistance:3.7ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:900V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFBF30 Hersteller : Siliconix 91122.pdf N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
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IRFBF30 IRFBF30 Hersteller : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30 IRFBF30 Hersteller : Vishay Siliconix 91122.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRFBF30 IRFBF30 Hersteller : Vishay / Siliconix 91122.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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