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IRFBF30

IRFBF30

91122y65gf.pdf
Produktcode: 18169
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/78
Montage: THT
auf Bestellung 7 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRFBF30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:3.6A
  • On State Resistance:3.7ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:900V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBF30 IRFBF30 Siliconix TIRFBF30_0031.pdf description N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFBF30 description TIRFBF30_0031.pdf
IRFBF30
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 24 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 19.6mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung 968 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 300 St.:
300 St. - erwartet 05.07.2026
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Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 17 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0.055...0.09 %/°C
verfügbar: 80 St.
    AnzahlPrivatkunde
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    10+0.043 EUR
    100+0.036 EUR
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    Hersteller: TI
    IC > IC Netzteile
    Gehäuse: DIP-8
    Funktion und Eigenschaften: IC CUR-MODE PWM CONTROLLER
    Spannung eing., V: 0...30 V
    I-ausg., A: 200 mA
    Fosc, kHz: 500 kHz
    Temperaturbereich: 0...+70°C
    auf Bestellung 46 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.68 EUR
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    Gehäuse: SOD-80
    Stabilisierungsspannung Vz, V: 13 V
    Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
    Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
    Montage: SMD
    Temperaturkoeffizient: 9.4mV/K
    HS-Code: 8541 10 00 90
    auf Bestellung 480 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.048 EUR
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    100+0.027 EUR
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