IRFBF30
Produktcode: 18169
Hersteller: IRGehäuse: TO-220AB
Uds,V: 900
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 03.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
JHGF: THT
auf Bestellung 7 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.98 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
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Technische Details IRFBF30 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:3.6A
- On State Resistance:3.7ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:900V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:14A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRFBF30 nach Preis ab 2.63 EUR bis 2.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBF30 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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|
IRFBF30 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
IRFBF30 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| BZV55-C24 Produktcode: 34627
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 24
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 19.6mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 24
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 19.6mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 1038 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.027 EUR |
| IRLR120NPBF Produktcode: 32182
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Lieblingsprodukt
|
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 140 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4744A Produktcode: 25622
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|
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
verfügbar: 80 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.03 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
| TL3845P Produktcode: 22072
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|
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: IC CUR-MODE PWM CONTROLLER
Spannung, eing., V: 0...30V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: IC CUR-MODE PWM CONTROLLER
Spannung, eing., V: 0...30V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 65 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.57 EUR |
| BZV55-C13 Produktcode: 4370
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|
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Hersteller: Philips
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 13
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: 40
Температурний коефіцієнт: 9.4mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 13
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: 40
Температурний коефіцієнт: 9.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 490 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |






