IRFBF30 Siliconix

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30
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Technische Details IRFBF30 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IRFBF30

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
IRFBF30 Produktcode: 18169	Hersteller : IR	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 900 Idd,A: 03.06.2015 Rds(on), Ohm: 03.07.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78 JHGF: THT	Produkt ist nicht verfügbar
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IRFBF30	Hersteller : Vishay / Siliconix	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF30PBF	Produkt ist nicht verfügbar