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IRFD014PBF Vishay

Produktcode: 72611

Hersteller: Vishay
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 310/11
JHGF: THT

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRFD014PBF	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - IRFD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm	auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFD014PBF	Hersteller : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP	auf Bestellung 15396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFD014PBF	Hersteller : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFD014PBF	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFD014PBF	Hersteller : Vishay / Siliconix	MOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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205 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39031

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205 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 205 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

verfügbar: 1813 St.

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613 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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IRLD014PBF
Produktcode: 37496

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Transistoren > MOSFET N-CH

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100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Produktcode: 31676

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100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00

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10000 St. - erwartet 05.06.2026

Anzahl	Preis
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10+	0.06 EUR
100+	0.034 EUR
1000+	0.031 EUR

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20 kOhm 3266W-1-203-Bourns (TSR-3266W-203) (Potentiometer Trimmer Ausfuhrungs-, Einstellung oben; 6,71x7,24x4,88mm)
Produktcode: 28041

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20 kOhm 3266W-1-203-Bourns (TSR-3266W-203) (Potentiometer Trimmer Ausfuhrungs-, Einstellung oben; 6,71x7,24x4,88mm)

Hersteller: Bourns
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 20 kOhm
Serie: 3266W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Einstellung oben
Abmessungen: 6,71x7,24x4,88mm

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100uF 25V ECR 6,3x11mm (ECR101M25B-Hitano)
Produktcode: 19373

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100uF 25V ECR 6,3x11mm (ECR101M25B-Hitano)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 868 St.

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858 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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20000 St. - erwartet

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1+	0.04 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.017 EUR
1000+	0.016 EUR

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