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IRFD024PBF

IRFD024PBF

sihfd024.pdf
Produktcode: 31843
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Hersteller: IR
Gehäuse: HVM DIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
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Technische Details IRFD024PBF IR

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller  VISHAY

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar

Drain-Source Spannung       60V

Drainstrom         2.5A

Leistung     1.3W

Gehäuse    DIP4

Widerstand im Leitungszustand   100mΩ

Montage   THT

Produktcode 31843

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFD024PBF IRFD024PBF Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1900 Stücke:
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IRFD024PBF IRFD024PBF VISHAY VISH-S-A0013329295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
86+2.71 EUR
108+2 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRFD024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
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Hersteller: Vishay
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IRFD024PBF VISH-S-A0013329295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFD024PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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LM2901N
Produktcode: 1277
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LM2901N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Funktionsbeschreibung: Kanäle: 4; Vsup, V: ±18; tpd, ns: 300; Ausgang: OK; Voffset, mV: 7; Isup, mA: 2;
Versorgungsspannung Udss, V: ±18 В
Strom Id, A: 0,006 A
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 25 St.
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auf Bestellung: 202 St.
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39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1607
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RC_series.pdf
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 39 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 4187 St.
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12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1402
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RC_series.pdf
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 12 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 6096 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1215
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RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung: 29810 St.
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10+0.0045 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1158
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BC635,637,639.pdf
BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1222 St.
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1+0.13 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
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