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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay


irfd120pbf.pdf
Produktcode: 156294
Hersteller: Vishay
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
Hersteller : Vishay sihfd120-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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138+1.14 EUR
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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137+1.15 EUR
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153+ 0.95 EUR
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2300+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 137
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY IRFD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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60+1.2 EUR
88+ 0.82 EUR
100+ 0.72 EUR
111+ 0.65 EUR
117+ 0.61 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY IRFD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
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Mindestbestellmenge: 60
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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5700+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 118
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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104+ 1.45 EUR
140+ 1.04 EUR
500+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 85
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
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500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.9 EUR
5000+ 0.85 EUR
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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77+2.03 EUR
94+ 1.61 EUR
123+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 77
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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10+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
2500+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 5214 Stücke:
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IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF
Produktcode: 28377
Hersteller : IR sihfd120.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
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22uF 63V EXR 6,3x11mm (EXR220M63B-Hitano)
Produktcode: 15895
EXR_080421.pdf
22uF 63V EXR 6,3x11mm (EXR220M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4876 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.08 EUR
10+ 0.06 EUR
100+ 0.029 EUR
1000+ 0.026 EUR
470uF 16V ESX 10x13mm (ESX471M16B-Hitano)
Produktcode: 17034
ESX_080418.pdf
470uF 16V ESX 10x13mm  (ESX471M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 10x13mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 1410 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.092 EUR
1000+ 0.08 EUR
PC817A
Produktcode: 18418
pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 6000 Stück:
6000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.25 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.088 EUR
2200uF 10V ESX 13x25mm (ESX222M10B-Hitano)
Produktcode: 43213
ESX_080418.pdf
2200uF 10V ESX 13x25mm  (ESX222M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 13x25mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 211 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.18 EUR
DB207 діодний міст
Produktcode: 72705
DB207 діодний міст
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1
Urew: 1000 V
I dir: 2 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 75 A
auf Bestellung 1914 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)