Technische Details IRFD120PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFD120PBF nach Preis ab 0.79 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Produktcode: 148947
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Lieblingsprodukt
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Vishay |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: HVMDIP-4 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 1,3 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Produktcode: 28377
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 1,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Produktcode: 156294
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Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HVMDIP Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 1,3 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16 Montage: THT |
auf Bestellung: 50 St.
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IRFD120PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFD120PBF | Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFD120PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Produktcode: 148947
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Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.87 EUR |
| IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Produktcode: 28377
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Produktcode: 156294
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Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.25 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| IRFD120PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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| IRFD120PBF |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
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| IRFD120PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
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