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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay

irfd120pbf.pdf
Produktcode: 156294
Hersteller: Vishay
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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Analogon IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
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Hersteller : Vishay sihfd120-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
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IRFD120PBF IRFD120PBF
Produktcode: 28377
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Hersteller : IR sihfd120.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
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Hersteller : Vishay sihfd120-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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Anzahl Preis
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122+1.17 EUR
133+1.04 EUR
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8F856BA12469&compId=IRFD120PBF.pdf?ci_sign=b654ac0a283c630dcf6e16fcda3a25e83f4fecab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
50+1.43 EUR
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8F856BA12469&compId=IRFD120PBF.pdf?ci_sign=b654ac0a283c630dcf6e16fcda3a25e83f4fecab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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200+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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Anzahl Preis
93+1.59 EUR
121+1.19 EUR
122+1.13 EUR
132+1.00 EUR
141+0.90 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
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AVX tantalum cap_datasheet.pdf
10uF 50V size-D 10% (TAJD106K050RNJ-AVX) (Tantalkondensator SMD)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-D
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 1190 Stück:
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100+0.20 EUR
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SG3525AN
Produktcode: 32903
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SG3525A-D.PDF
SG3525AN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 0,5A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -55…+150°C
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Anzahl Preis
1+0.80 EUR
10+0.79 EUR
100+0.62 EUR
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2075 Stück
429 Stück - stock Köln
1646 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.50 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1443 Stück
215 Stück - stock Köln
1228 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.04 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.02 EUR
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RM5 Satz (Ferrit 3С90(2шт) lückenlos; Karkasse Vertikal 6pin; 2 Klammer) Li Tone
Produktcode: 5438
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RM5 Satz (Ferrit 3С90(2шт) lückenlos; Karkasse Vertikal 6pin; 2 Klammer) Li Tone
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern, Karkasse, Klammer
Serie: RM
Typ: ringförmig
Größe, Typ: RM5
Beschreibung: Satz
Material: PBT, Schwarz
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Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.95 EUR
100+0.82 EUR
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