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IRFD120PBF

IRFD120PBF

sihfd120.pdf
Produktcode: 28377
Hersteller: IR
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
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Analogon IRFD120PBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Produktcode: 156294
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Hersteller : Vishay irfd120pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 48 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Produktcode: 156294
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Hersteller : Vishay irfd120pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8F856BA12469&compId=IRFD120PBF.pdf?ci_sign=b654ac0a283c630dcf6e16fcda3a25e83f4fecab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8F856BA12469&compId=IRFD120PBF.pdf?ci_sign=b654ac0a283c630dcf6e16fcda3a25e83f4fecab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
95+0.76 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
94+1.56 EUR
109+1.29 EUR
200+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
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Hersteller : Vishay sihfd120-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
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