Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)

IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)

sihfd120-datasheet.pdf
Produktcode: 148947
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Vishay
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) nach Preis ab 0.81 EUR bis 0.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFD120PBF
Produktcode: 28377
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR sihfd120.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Produktcode: 156294
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Vishay irfd120pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF
Produktcode: 28377
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sihfd120.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Produktcode: 156294
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irfd120pbf.pdf
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF sihfd120.pdf
IRFD120PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF sihfd120.pdf
IRFD120PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

LM224ADR
Produktcode: 36805
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224
LM224ADR
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-14
Vc, V: 1,5...16V
BW, MHz: 1.2
Vio, mV(Biasspannung): 3
Geschw. Nar., V/mks: 0,5
Temperaturbereich: 0…+70°C
Монтаж: SMD
auf Bestellung 266 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.29 EUR
10+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM224DT
Produktcode: 123246
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
lm124-954925-datasheet.pdf
LM224DT
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-14
Vc, V: 3...30 V
BW, MHz: 1,3 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,4 V/µs
Temperaturbereich: -40…+105°C
ZCODE: 4
Монтаж: SMD
auf Bestellung 37 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Оснастка для извлечения контактов из разъемов (18 элементов)
Produktcode: 178214
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Оснастка для извлечения контактов из разъемов (18 элементов)
Werkzeuge > Pinzette, Extraktoren
Опис: Інструменти для вилучення контактів із гнізда. Довжина робочої частини:40mm
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74HC4514D
Produktcode: 28344
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
74HC_HCT4514_CNV-225069.pdf
74HC4514D
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SOT-137
Beschreibung: Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers 4-16 DECODER/MUX W/LATCHES
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2…6V
T°C: -40…+125°C
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL071CP
Produktcode: 24068
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530
TL071CP
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18V
BW, MHz: 3 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; Streifen, MHz: 3; dU/dt, V/mks: 13; Ucm, mV. 10; Nш, nV/VHz: 18; Verfügbarkeit R-to-R: -;
ZCODE: 1
Монтаж: THT
verfügbar: 197 St.
  • 10 St. - stock Köln
  • 187 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH