IRFD120PBF
Produktcode: 28377
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRFD120PBF nach Preis ab 1.12 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Produktcode: 148947
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HVMDIP-4 Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 450/11 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Produktcode: 156294
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HVMDIP Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD120PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |