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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay

irfd120pbf.pdf
Produktcode: 156294
Hersteller: Vishay
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRFD120PBF IRFD120PBF
Produktcode: 28377
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Hersteller : IR sihfd120.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
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IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
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Hersteller : Vishay sihfd120-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
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IRGPF50F -IR
Produktcode: 53575
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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RC4558P
Produktcode: 27238
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Frc4558
RC4558P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±5…15V
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 3; dU/dt, V/mks: 1,7; Ucm, mV. 0,5; Nш, nV/VHz: 8; Verfügbarkeit R-to-R: -;
ZCODE: 2
Монтаж: THT
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UC2843BN
Produktcode: 22326
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC2843BN
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: High Performance Current Mode Controller
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
auf Bestellung 11 St.:
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1+0.46 EUR
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 3713 St.:
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10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
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erwartet: 30200 St.
30000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
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