Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay

IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Vishay

irfd120pbf.pdf
Produktcode: 156294
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Vishay
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) nach Preis ab 0.81 EUR bis 1.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller : Vishay sihfd120-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
94+1.53 EUR
109+1.26 EUR
200+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF
Produktcode: 28377
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller : IR sihfd120.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100
Idd,A: 01.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD120PBF IRFD120PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRGPF50F -IR
Produktcode: 53575
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,82 Ohm 3W
Produktcode: 15229
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MOR_080911.pdf
0,82 Ohm 3W
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 0,82 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±250ppm
P Nenn.,W: 3 W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні
auf Bestellung 641 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
18 kOhm 5% 0,5W 2010
Produktcode: 10955
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
18 kOhm 5% 0,5W 2010
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Resistenz: 18 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 2010
auf Bestellung 3605 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.017 EUR
100+0.014 EUR
1000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Produktcode: 8246
12 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
verfügbar: 7222 St.
35 St. - stock Köln
7187 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100000 St.
100000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH