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IRFH5215TR2PBF(Transistor)

Produktcode: 84275

Hersteller: IR
Gehäuse: PQFN5*6
Uds,V: 150 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/21
JHGF: SMD

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRFH5215TR2PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH5215TR2PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH5215TR2PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 150V 27A 58mOhm 20nC Qg	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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Ciss, pF/Qg, nC: 2460/43
JHGF: SMD

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1+	1.40 EUR

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