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IRFI9Z34GPBF

IRFI9Z34GPBF

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Produktcode: 42009
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/34
Anmerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay sihfi9z3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.56 EUR
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay sihfi9z3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay sihfi9z3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay sihfi9z3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 891 Stücke:
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111+1.55 EUR
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay Siliconix sihfi9z3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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50+2.44 EUR
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay sihfi9z3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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60+2.95 EUR
250+2.51 EUR
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Vishay Semiconductors sihfi9z3.pdf MOSFETs TO220 P-CH 60V 12A
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10+2.93 EUR
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY IRFI9Z34G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFI9Z34GPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9Z34GPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9Z34GPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 60V 12A
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IRFI9Z34GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
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