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IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)

irfp4868pbf.pdf
Produktcode: 56397
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 300 В
Drain-Strom Idd, A: 70 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 25,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10774/180
Montage: THT
auf Bestellung 17 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Infineon Technologies IRSDS19316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Infineon Technologies infineon-irfp4868-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.86 EUR
50+9.22 EUR
100+8.01 EUR
200+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON INFN-S-A0003614922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4868PBF IRSDS19316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP4868PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
auf Bestellung 133 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IRFP4868PBF infineon-irfp4868-datasheet-v02_03-en.pdf
IRFP4868PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.86 EUR
50+9.22 EUR
100+8.01 EUR
200+7.37 EUR
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IRFP4868PBF INFN-S-A0003614922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP4868PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRFP4768PBF
Produktcode: 55495
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irfp4768pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 93 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10880/180
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 Ohm 10W 5% (SQP100JB-1R)
Produktcode: 50512
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SQP_080911.pdf
1 Ohm 10W 5% (SQP100JB-1R)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Nennwert: 1 Ohm
Leistung: 10 W
Toleranz: ±5%
U Betriebs. max., V: 1000 V
Abmessungen, mm: 48.0x10.0x9.5; dlead = 0.8
Typ: bedrahtet, Zement, drahtgewickelt
auf Bestellung 295 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
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1500uF 250V ELP 35x50mm (ELP152M2EBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 43210
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ELP_080522.pdf
1500uF 250V ELP 35x50mm (ELP152M2EBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1500 µF
Nennspannung: 250 V
Reihe: ELP
Typ: mit starren Anschlüssen, 85°C
Temperaturbereich: -25...+85°C
Abmessungen: 35x50 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.44 EUR
10+6.66 EUR
100+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMMT459 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 34870
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FMMT459.pdf
FMMT459 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Zetex
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 50 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 450 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 500 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21: 120
Montage: SMD
auf Bestellung 64 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.6 EUR
10+0.57 EUR
100+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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description infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung 126 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 9 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH