Technische Details IRFU4104 IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: I-Pak, Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V, Drain-Strom Idd, A: 42 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2950/59, Montage: THT.
Weitere Produktangebote IRFU4104 nach Preis ab 1.29 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRFU4104 Produktcode: 99521
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2950/59 Montage: THT |
auf Bestellung: 2 St.
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2950/59
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2950/59
Montage: THT
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