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IRFZ44VPBF

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IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 35444
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz44vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFZ44VPBF THT N channel transistors
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ44V_DataSheet_v01_01_EN-3363286.pdf MOSFETs MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1267 Stück
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2010 Stück
409 Stück - stock Köln
1601 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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