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IRFZ44VPBF

IRFZ44VPBF

IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 35444
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : International Rectifier IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz44v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ44V_DataSheet_v01_01_EN-3363286.pdf MOSFET MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz44vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
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verfügbar: 1586 Stück
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Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13344 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
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Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 154 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.13 EUR
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Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38188 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)