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IRFZ48NPBF

IRFZ48NPBF Infineon Technologies

infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRFZ48NPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36960 Stücke:
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165+1.06 EUR
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500+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1292 Stücke:
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76+1.12 EUR
91+0.94 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
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1+3.52 EUR
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36961 Stücke:
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45+3.93 EUR
93+1.81 EUR
104+1.56 EUR
500+1.18 EUR
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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61+4.15 EUR
126+1.84 EUR
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IRFZ48N PBF IR 06+;
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177+0.95 EUR
500+0.8 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
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IRFZ48NPBF INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRFZ48N PBF
Hersteller: IR
06+;
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