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IRFZ48N PBF

IRFZ48N PBF

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Produktcode: 60156
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 64 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1970/81
Montage: THT
verfügbar: 136 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 131 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate charge: 54nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.12 EUR
91+0.94 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.2 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.2 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
auf Bestellung 8933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+1.92 EUR
100+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.05 EUR
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.97 EUR
93+1.87 EUR
104+1.63 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
5000+0.92 EUR
10000+0.86 EUR
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+4 EUR
93+1.83 EUR
104+1.58 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 8422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
126+1.84 EUR
141+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRFZ48N PBF IR 06+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate charge: 54nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+1.12 EUR
91+0.94 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
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IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.2 EUR
2000+1.06 EUR
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IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFZ48NPBF irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c
IRFZ48NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 2917 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.92 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
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IRFZ48NPBF Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
auf Bestellung 8933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.61 EUR
10+1.92 EUR
100+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.23 EUR
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IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.97 EUR
93+1.87 EUR
104+1.63 EUR
500+1.26 EUR
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IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
45+4 EUR
93+1.83 EUR
104+1.58 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
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IRFZ48NPBF INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 8422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.15 EUR
126+1.84 EUR
141+1.52 EUR
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IRFZ48N PBF
Hersteller: IR
06+;
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung 1891 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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74HC14D
Produktcode: 2467
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SN74HC14.pdf
74HC14D
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Schmitt-Trigger invertierend x6
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Analog RUS: ТЛ2
Versorgung, V: -0,5...7 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Schmitt-Trigger
verfügbar: 1045 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 995 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATtiny2313-20SU
Produktcode: 20847
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ATtiny2313,V.pdf
ATtiny2313-20SU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: SOIC-20
Kurzbeschreibung: 8-Bit-Mikrocontroller mit 2 KB integriertem Flash
Versorgungsspannung, V: 2,7...5,5 V
Kerntyp: AVR
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
ZCODE: 8542 39 90 00
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC33063ADR
Produktcode: 36210
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fmc33063a
MC33063ADR
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: DC/DC-Schaltregler, Aufwärts-/Abwärts-/invertierender Schalter
Eingangsspannung, V: 40 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Frequenz Fosc, kHz: 100 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 596 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATmega168PA-AU
Produktcode: 38505
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inhouse_atmega168paau_t.pdf
ATmega168PA-AU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: TQFP-32
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 16K Byte im System programmierbar Flash
Versorgungsspannung, V: 1,8...5,5 V
Kerntyp: AVR
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°С
ZCODE: 8542 31 90 00
auf Bestellung 95 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4 EUR
10+3 EUR
100+2.28 EUR
1000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH