Technische Details IRG4BC40FPBF
- IGBT, TO-220
- Transistor Type:IGBT
- Max Voltage Vce Sat:1.8V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic Continuous a:49A
- Max Fall Time:170ns
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:160W
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulsed Current Icm:200A
- Rise Time:18ns
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
Weitere Produktangebote IRG4BC40FPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRG4BC40FPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRG4BC40FPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 DC-Kollektorstrom: 49 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4BC40FPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 49A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 160 W |
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IRG4BC40FPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz |
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