Technische Details IRG4IBC20FD IR
Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP, Power - Max: 34 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 27 nC, Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V, Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A.
Weitere Produktangebote IRG4IBC20FD nach Preis ab 2.15 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRG4IBC20FD Produktcode: 77977
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Lieblingsprodukt
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IR |
 Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,66 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 14,3 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 7,7 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 34 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 43/240 |
auf Bestellung: 6 St.
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IRG4IBC20FD | Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP Power - Max: 34 W Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 27 nC Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Supplier Device Package: PG-TO220-FP Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRG4IBC20FD Produktcode: 77977
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,66 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 14,3 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 7,7 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 34 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 43/240
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,66 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 14,3 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 7,7 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 34 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 43/240
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 2.38 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| IRG4IBC20FD |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
Power - Max: 34 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 27 nC
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
Power - Max: 34 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 27 nC
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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