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IRG4PC50KDPBF

IRG4PC50KDPBF

IRG4PC50KD.pdf
Produktcode: 34338
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,84 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 52 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 11/40
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1+8 EUR
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Technische Details IRG4PC50KDPBF IR

  • IGBT, 600V, 52A, TO-247AC
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:52A
  • Max Voltage Vce Sat:1.84V
  • Power Dissipation:104W
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:IRG4PC50KDPBF
  • Fall Time Tf:140ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:140ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:104W
  • Pulsed Current Icm:104A
  • Rise Time:49ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4PC50KDPBF International Rectifier irg4pc50kd.pdf description Транзистори
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IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Infineon Technologies irg4pc50kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564461bb22ea description Description: IGBT 600V 52A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 63ns/150ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
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IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Infineon Technologies Infineon_IRG4PC50KD_DataSheet_v01_00_EN-1732860.pdf description IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
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IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF INFINEON 140328.pdf description Description: INFINEON - IRG4PC50KDPBF - IGBT, 52 A, 1.84 V, 104 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.84
DC-Kollektorstrom: 52
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 104
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRG4PC50KDPBF Infineon Technologies irg4pc50kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564461bb22ea description Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRG4PC50KDPBF description irg4pc50kd.pdf
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
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IRG4PC50KDPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 52A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 63ns/150ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
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IRG4PC50KDPBF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
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IRG4PC50KDPBF description 140328.pdf
IRG4PC50KDPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC50KDPBF - IGBT, 52 A, 1.84 V, 104 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.84
DC-Kollektorstrom: 52
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 104
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRG4PC50KDPBF description irg4pc50kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564461bb22ea
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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