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IRG4PC50SPBF

IRG4PC50SPBF

irg4pc50spbfde.pdf
Produktcode: 55915
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,28
Ic 25: 70
Ic 100: 41
Pd 25: 200
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/650
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+2.52 EUR
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Technische Details IRG4PC50SPBF IR

  • IGBT, 600V, 70A, TO-247AC
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:70A
  • Max Voltage Vce Sat:1.36V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:600ns
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:140A
  • Rise Time:30ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irg4pc50s-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irg4pc50s-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Hersteller : INFINEON 140334.pdf Description: INFINEON - IRG4PC50SPBF - IGBT, 70 A, 1.62 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.62
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4pc50spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356447adc22f0 Description: IGBT 600V 70A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
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IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRG4PC50S_DataSheet_v01_00_EN-1732924.pdf IGBTs 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
auf Bestellung 206 Stück:
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Präzision: ±5% J
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U Betriebs.,V: 200V
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auf Bestellung 4666 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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Gehäuse: SO-14
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,4/0,65
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 50/30
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
verfügbar: 32 Stück
3 Stück - stock Köln
29 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+1.70 EUR
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Gehäuse: SO-14
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Spannung, eing., V: 12...28 V
I-ausg., A: 1A
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Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 9 Stück
5 Stück - stock Köln
4 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.84 EUR
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15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
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Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 6400 Stück
1200 Stück - stock Köln
5200 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.04 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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