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IRG4PC50SPBF

Name: IRG4PC50SPBF
Brand: IR
SKU: 55915
Price: 17.77 EUR
Availability: BackOrder

Produktcode: 55915

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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,28 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 41 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 33/650

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Technische Details IRG4PC50SPBF IR

IGBT, 600V, 70A, TO-247AC
Transistor Type:IGBT
Transistor Polarity:N Channel
Voltage Vces:600V
Max Current Ic Continuous a:70A
Max Voltage Vce Sat:1.36V
Power Dissipation:200W
Case Style:TO-247AC
Termination Type:Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Fall Time:600ns
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
Power Dissipation Pd:200W
Pulsed Current Icm:140A
Rise Time:30ns

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IRG4PC50SPBF	Infineon Technologies	Description: IGBT 600V 70A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off) Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 200 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PC50SPBF	International Rectifier	IGBT: 600 В, 70 А Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PC50SPBF	Infineon Technologies	IGBTs 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PC50SPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IRG4PC50SPBF - IGBT, 70 A, 1.62 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.62 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PC50SPBF	Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRG4PC50SPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W

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IRG4PC50SPBF

Hersteller: International Rectifier
IGBT: 600 В, 70 А Транзистори

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IRG4PC50SPBF

Infineon-IRG4PC50S-DataSheet-v01_00-EN.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT

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IRG4PC50SPBF

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC50SPBF - IGBT, 70 A, 1.62 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.62
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IRG4PC50SPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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TIP42C
Produktcode: 188820

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FAIRS28956-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 МГц
Spannung Uce, V: 100 В
Spannung Ucb, V: 100 В
Strom Ic, A: 6 A

erwartet: 400 St.

400 St. - erwartet 25.07.2026

auf Bestellung: 94 St.

94 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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LM324N
Produktcode: 162910

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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: 32 В
Bandbreite BW, MHz: 1,2 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT

auf Bestellung: 194 St.

194 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
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10+	0.39 EUR
100+	0.35 EUR

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UF5408
Produktcode: 27170

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Hersteller: Yangjie/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Montage: THT

verfügbar: 200 St.

200 St. - stock Köln

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1016 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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