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IRG4PC50SPBF

IRG4PC50SPBF

irg4pc50spbfde.pdf
Produktcode: 55915
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,28
Ic 25: 70
Ic 100: 41
Pd 25: 200
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/650
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Technische Details IRG4PC50SPBF IR

  • IGBT, 600V, 70A, TO-247AC
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:70A
  • Max Voltage Vce Sat:1.36V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:600ns
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:140A
  • Rise Time:30ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRG4PC50SPBF International Rectifier irg4pc50spbf.pdf description IGBT: 600 В, 70 А Транзистори
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IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors description Description: IGBT 600V 70A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
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IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Infineon Technologies Infineon_IRG4PC50S_DataSheet_v01_00_EN-1732924.pdf description IGBTs 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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IRG4PC50SPBF description irg4pc50spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
IGBT: 600 В, 70 А Транзистори
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IRG4PC50SPBF description fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4PC50SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 70A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns
Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 200 W
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IRG4PC50SPBF description Infineon_IRG4PC50S_DataSheet_v01_00_EN-1732924.pdf
IRG4PC50SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 30.06.2026
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  • 5000 St. - erwartet
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100+0.036 EUR
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