IRG4PF50WPBF
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Technische Details IRG4PF50WPBF IR
IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
•
Optimized for use in
Welding and Switch-Mode Power Supply applications
•
Industry benchmark
switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
•
Latest technology IGBT
design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional
reliability
Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger-die MOSFETs up to 100kHz
•
Of particular benefit
in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher
•
Reduction in critical
Eoff parameter due to minimal minority-carrier recombination coupled with low
on-state losses allow maximum flexibility in device
Absolute Maximum Ratings
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
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|
|
VCES |
Collector-to-Emitter
Breakdown Voltage |
900 |
V |
|
|
IC @ TC =
25°C |
Continuous
Collector Current |
51 |
|
|
|
IC @ TC =
100°C |
Continuous
Collector Current |
28 |
A |
|
|
ICM |
Pulsed
Collector Current ➀ |
204 |
|
|
|
ILM |
Clamped
Inductive Load Current ➁ |
204 |
|
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter
Voltage |
± 20 |
V |
|
|
EARV |
Reverse
Voltage Avalanche Energy ➂ |
186 |
mJ |
|
|
PD @ TC =
25°C |
Maximum
Power Dissipation |
200 |
W |
|
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum
Power Dissipation |
78 |
||
|
|
||||
|
TJ |
Operating
Junction and |
-55 to + 150 |
|
|
|
TSTG |
Storage
Temperature Range |
|
°C |
|
|
|
Soldering
Temperature, for 10 seconds |
300 (0.063 in. (1.6mm from
case ) |
|
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Produktcode 32408
Weitere Produktangebote IRG4PF50WPBF nach Preis ab 6.01 EUR bis 10.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG4PF50WPBF | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IRG4PF50WPBF |
![]() |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.96 EUR |
| 19+ | 9.02 EUR |
| 100+ | 7.21 EUR |
| 250+ | 6.68 EUR |
| 500+ | 6.01 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| 10 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-10R-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 2273
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Lieblingsprodukt
|
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.054 EUR |
| 1000+ | 0.048 EUR |
| 150pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N151J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1728
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Lieblingsprodukt
|
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Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 150 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.012 EUR |
| 1000+ | 0.0084 EUR |
| 10000+ | 0.0077 EUR |
| SS26 Produktcode: 29994
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|
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 2 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,55 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 50 А
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.083 EUR |
| 22pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N220J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 37440
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Toleranz: ±5% J
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
- 12000 St. - erwartet 06.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.0074 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.003 EUR |
| 100 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100KR –Hitano) Produktcode: 43107
1
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Lieblingsprodukt
|
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 100 kOhm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
- 500 St. - stock Köln
- 1367 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.029 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |




