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IRG4PF50WPBF

IRG4PF50WPBF

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Produktcode: 32408
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
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Technische Details IRG4PF50WPBF IR


 IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor  IGBT 900V 51A 200W TO247AC

 

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

 

•   Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications

•   Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

•   50% reduction of Eoff parameter

 

•   Low IGBT conduction losses

 

•  Latest technology IGBT design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional reliability

 

Benefits

 • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger-die MOSFETs up to 100kHz

•   Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher

•  Reduction in critical Eoff parameter due to minimal minority-carrier recombination coupled with low on-state losses allow maximum flexibility in device

 

 Absolute Maximum Ratings

 

 

Parameter

Max.

Units

 

 

 

 

VCES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

900

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

51

 

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

28

A

ICM

Pulsed Collector Current ➀

204

 

ILM

Clamped Inductive Load Current ➁

204

 

VGE

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

V

EARV

Reverse Voltage Avalanche Energy ➂

186

mJ

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

200

W

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

78

 

TJ

Operating Junction and

-55 to + 150

 

TSTG

Storage Temperature Range

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

 

 

 

 

 

 

Produktcode 32408


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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4PF50WPBF Infineon Technologies irg4pf50wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647f7e32307 Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 651 Stücke:
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17+11.08 EUR
19+9.13 EUR
100+7.29 EUR
250+6.75 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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22uF 63V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX220M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 7849 St.
  • 7849 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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13+0.095 EUR
17+0.071 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
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5,1 Ohm 1% 1W bedrahtet (MFR100SSFTB-5R1-Hitano)
Produktcode: 50305
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FMF-MFR_120622ds.pdf
5,1 Ohm 1% 1W bedrahtet (MFR100SSFTB-5R1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Nennwert: 5,1 Ohm
Toleranz und TKR: ±1%, ±100ppm
P Nenn.: 1 W
U Betrieb: 250 V
Abmessungen: 6x2.3mm; D_Anschl.=0.55mm
Typ: Metallschicht, miniatur
Temperatur: -55...+155°C
verfügbar: 295 St.
  • 295 St. - stock Köln
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  • 4949 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
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100uF 50V ESX 10x13mm (low imp., 5000h) (ESX101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 43202
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 10x13 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet
auf Bestellung: 186 St.
  • 186 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
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VS-30EPH06PBF
Produktcode: 35744
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vs-30eph06p.pdf
VS-30EPH06PBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247-2
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 30 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 24 St.
  • 24 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HCPL3120-000E
Produktcode: 30573
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description hcpl3120-000e.pdf
HCPL3120-000E
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Transistor-Gate-Treiber
Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 kV
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -40…+100°С
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.94 EUR
10+2.67 EUR
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