IRG4PH40U
Produktcode: 25208
Hersteller: IRGehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,43
Ic 25: 41
Ic 100: 21
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
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Technische Details IRG4PH40U IR
- IGBT, TO-247
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N
- Max Current Ic Continuous a:30A
- Max Voltage Vce Sat:3.5V
- Power Dissipation:160W
- Case Style:TO-247
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:190ns
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulsed Current Icm:120A
- Rise Time:18ns
Weitere Produktangebote IRG4PH40U
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRG4PH40UPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRG4PH40UPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 41A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 24ns/220ns Switching Energy: 1.04mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 960V, 21A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 86 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A Power - Max: 160 W |
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IRG4PH40UPBF | Hersteller : Infineon / IR |
IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz |
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