IRG4PH50UPBF
Produktcode: 44979
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Hersteller:
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,78 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 35/200
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Technische Details IRG4PH50UPBF
- IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:45A
- Max Voltage Vce Sat:3.7V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-247AC
- Termination Type:Through Hole
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:500ns
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:180A
- Rise Time:15ns
Weitere Produktangebote IRG4PH50UPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRG4PH50UPBF | International Rectifier |
 TO-247 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 45A TO-247AC Packaging: Tray Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 35ns/200ns Switching Energy: 530µJ (on), 1.41mJ (off) Test Condition: 960V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 200 W |
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 |
IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies |
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT |
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| IRG4PH50UPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
TO-247 Транзистори
TO-247 Транзистори
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| IRG4PH50UPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 45A TO-247AC
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/200ns
Switching Energy: 530µJ (on), 1.41mJ (off)
Test Condition: 960V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 1200V 45A TO-247AC
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AC
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Switching Energy: 530µJ (on), 1.41mJ (off)
Test Condition: 960V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 200 W
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| IRG4PH50UPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT
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