IRG4PSH71UDPBF
Produktcode: 36092
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details IRG4PSH71UDPBF
- IGBT, TO-274AA
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:2.7V
- Power Dissipation:350W
- Case Style:TO-247AA
- Termination Type:Through Hole
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:350W
- Pulsed Current Icm:200A
- Rise Time:77ns
Weitere Produktangebote IRG4PSH71UDPBF nach Preis ab 22.51 EUR bis 24.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRG4PSH71UDPBF | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4PSH71UDPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 24.4 EUR |
| 10+ | 22.51 EUR |


