IRG7PH42UD1-EP
Produktcode: 178064
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRG7PH42UD1-EP | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 85A TO-247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/270ns Switching Energy: 1.21mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 313 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRG7PH42UD1-EP | Infineon / IR |
IGBT Transistors IGBT DISCRETES |
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| IRG7PH42UD1-EP |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 85A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/270ns
Switching Energy: 1.21mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 313 W
Description: IGBT TRENCH 1200V 85A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/270ns
Switching Energy: 1.21mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 313 W
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Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors IGBT DISCRETES
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