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IRGP50B60PD1-EP International Rectifier

fundamentals-of-power-semiconductors Hersteller: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 75A; 150A; 390W; 3,0V~5,0V; 308nC; -55°C~150°C;   IRGP50B60PD1-EP TIRGP50b60pd1-ep
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Technische Details IRGP50B60PD1-EP International Rectifier

Description: IGBT NPT 600V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns, Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off), Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 205 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 390 W.

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IRGP50B60PD1-EP IRGP50B60PD1-EP
Produktcode: 108379
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Hersteller : IR fundamentals-of-power-semiconductors Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IRGP50B60PD1-EP IRGP50B60PD1-EP Hersteller : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 390 W
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IRGP50B60PD1-EP IRGP50B60PD1-EP Hersteller : Infineon Technologies infineon_05042021_IRGP50B60PD1-2322412.pdf IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz
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