IRGP50B60PD1-EP International Rectifier
Hersteller: International Rectifier75A; 600V; 390W; IGBT w/ Diode IRGP50B60PD1-EP TIRGP50b60pd1-ep
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Technische Details IRGP50B60PD1-EP International Rectifier
Description: IGBT NPT 600V 75A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns, Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off), Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 205 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 390 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRGP50B60PD1-EP Produktcode: 108379 |
Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IRGP50B60PD1-EP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 600V 75A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off) Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 390 W |
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IRGP50B60PD1-EP | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz |
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