IRGP50B60PD1PBF


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Produktcode: 49114
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 45 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 390 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 30/130
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AnzahlPrivatkunde
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10+3.81 EUR
100+3.67 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRGP50B60PD1PBF International Rectifier fundamentals-of-power-semiconductors SMPS IGBT Vces = 600V, Vce(on) typ. = 2.00V @ Vge = 15V Ic = 33A, TO-247AC Транзистори
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IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors IRGP50B60PD1PBF Транзисторы IGB-transistors
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IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 75A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 390 W
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IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies Infineon-IRGP50B60PD1-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 600V Warp2 150kHz
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IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: International Rectifier
SMPS IGBT Vces = 600V, Vce(on) typ. = 2.00V @ Vge = 15V Ic = 33A, TO-247AC Транзистори
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IRGP50B60PD1PBF Транзисторы IGB-transistors
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IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 75A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 390 W
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IRGP50B60PD1PBF Infineon-IRGP50B60PD1-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V Warp2 150kHz
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IRGP50B60PD1PBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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KBJ2510_T0_00601
Produktcode: 204303
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