IRGS4062DPBF
Produktcode: 121697
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-263
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 48 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 40/104
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGS4062DPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 48A D2PAK Power - Max: 250 W Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Gate Charge: 50 nC Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRGS4062DPBF | Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V Low VCEon |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRGS4062DPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 48A D2PAK
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Description: IGBT TRENCH 600V 48A D2PAK
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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| IRGS4062DPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V Low VCEon
IGBT Transistors 600V Low VCEon
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