IRGS4062DPBF
Produktcode: 121697
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-263
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 48 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 40/104
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRGS4062DPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 48A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 250 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRGS4062DPBF | Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V Low VCEon |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRGS4062DPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT TRENCH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
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| IRGS4062DPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V Low VCEon
IGBT Transistors 600V Low VCEon
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