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IRLML2060TRPBF

IRLML2060TRPBF

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Produktcode: 38415
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 64/.67
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML2060_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2060TRPBF International Rectifier/Infineon irlml2060pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 64 @ 25, Qg, нКл = 0.67, Rds = 480 мОм @ 1,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1430 Stücke:
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474+0.3 EUR
581+0.23 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg
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IRLML2060TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLML2060TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 64 @ 25, Qg, нКл = 0.67, Rds = 480 мОм @ 1,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 274341 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17876
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33 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 33 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 14780 St.
  • 4900 St. - stock Köln
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100+0.0045 EUR
1000+0.0039 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 6862 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 35905
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 1,0 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 1588 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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100+0.02 EUR
1000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF
Produktcode: 38413
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irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8
IRLML0100TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 771 St.
  • 180 St. - stock Köln
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