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IRLML2060TRPBF

IRLML2060TRPBF

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Produktcode: 38415
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 64/.67
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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495+0.29 EUR
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1000+0.25 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 495
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2787 Stücke:
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186+0.39 EUR
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1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2060TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml2060pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 64 @ 25, Qg, нКл = 0.67, Rds = 480 мОм @ 1,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2060datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon irlml2060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664b7fb25ee MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664b7fb25ee Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664b7fb25ee Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML2060_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 97841 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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200000 St. - erwartet 05.06.2026
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33 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17876
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RC_series.pdf
33 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 33 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 15780 St.
4900 St. - stock Köln
10880 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.0045 EUR
1000+0.0039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 10786 St.:
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1+0.11 EUR
10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 35905
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1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 1,0 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 1818 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.024 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF
Produktcode: 38413
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irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8
IRLML0100TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1071 St.
180 St. - stock Köln
891 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH