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IRLML2244TRPBF

IRLML2244TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlml2244-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details IRLML2244TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2244-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2244pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664bfff25f0 Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
226+0.32 EUR
253+0.28 EUR
439+0.16 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2244pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664bfff25f0 Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 16 V
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IRLML2244TRPBF
Produktcode: 131115
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML2244_DataSheet_v01_01_EN-3363557.pdf MOSFETs MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2244-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2244TRPBF Hersteller : IR irlml2244pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664bfff25f0 MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
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IRLML2244TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml2244pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664bfff25f0 P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 16; Qg, нКл = 6,9 @ 4,5 В; Rds = 54 мОм @ 4,3A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; Р, Вт = 1,3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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