IRLML2402TR Infineon
Hersteller: InfineonN-MOSFET 1.2A 20V 0.54W 0.025Ω IRLML2402TR IRLML2402 TIRLML2402
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Technische Details IRLML2402TR Infineon
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote IRLML2402TR nach Preis ab 0.13 EUR bis 3.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| IRLML2402TR | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 1.2A 20V 0.54W 0.025Ω IRLML2402TR IRLML2402 TIRLML2402 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| IRLML2402TR | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 1.2A 20V 0.54W 0.025Ω IRLML2402TR IRLML2402 TIRLML2402 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| IRLML2402TR | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 1,2 А; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15; Qg, нКл = 3,9 @ 4,5 В; Rds = 250 мОм @ 930 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
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| IRLML2402 TR | Hersteller : IR |
auf Bestellung 82985 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLML2402TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML2402TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V |
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