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IRLML2402 TR


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Technische Details IRLML2402 TR IR

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML2402TR International Rectifier/Infineon IRLML2402.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 3,9 @ 4,5 В, Rds = 250 мОм @ 930 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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IRLML2402TR IRLML2402.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 3,9 @ 4,5 В, Rds = 250 мОм @ 930 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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