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IRLR2908TRPBF

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Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 80 В
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
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IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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500+1.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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IRLR2908TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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IRLR2908TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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IRLR2908TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
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10+2.48 EUR
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IRLR2908TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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Batterie CR2025 Lithium 3V 1St. Renata
Produktcode: 124102
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Batterie CR2025 Lithium 3V 1St. Renata
Hersteller: Renata
Batterien
Material: Lithium
Größe: CR2025
Spannung, V: 3 V
Form: Knopfzelle
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SMA-Stecker für Kabel (EM-SA001-RG58-NGT)
Produktcode: 73838
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SMA-Stecker für Kabel (EM-SA001-RG58-NGT)
Hersteller: Emico
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Hochfrequenz
Typ, Serie: SMA
Beschreibung: SMA-Stecker für Kabel, für Crimp, RG-58
Art: Steckverbinder
Mechanische Montage: für Kabel
Kabeltyp: RG-58
Steckverbinder: Stecker
Ausrichtung: Gerade
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 12000 St.
  • 12000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
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10+1.84 EUR
100+1.67 EUR
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IRF9540NSPBF
Produktcode: 62471
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description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 117 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1450/73
Montage: SMD
auf Bestellung: 47 St.
  • 47 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 11561
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EXR_080421.pdf
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3782 St.
  • 3782 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3uF 50V ECR 5x11mm (ECR3R3M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3120
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ECR_081225.pdf
3,3uF 50V ECR 5x11mm (ECR3R3M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3,3 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 300 St.
  • 300 St. - stock Köln
auf Bestellung: 8014 St.
  • 8014 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH