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IRLR7833TRPBF

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Produktcode: 35240
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 0.0045
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr7833-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr7833-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR7833_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC
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Mindestbestellmenge: 2
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IRLR7833TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
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IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3 Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
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IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3 Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
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IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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SS520
Produktcode: 160691
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ss52_thru_ss520-datasheet.pdf
SS520
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 200 V
If(A): 5 А
VF@IF: 0,9 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
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TLP185(GB-TPR,SE)
Produktcode: 123320
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tlp185_datasheet.pdf
TLP185(GB-TPR,SE)
Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 1 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/80 mA
U ausg, V: 80 V
Ton/Toff, µs: 5/9 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
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erwartet 1500 St.:
1500 St. - erwartet 17.04.2026
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KX-K 16.0 MHz (49S-SMD-16M-20PF-30PPM – Crystal Units) кварцевый резонатор
Produktcode: 159939
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KX-K 16.0 MHz (49S-SMD-16M-20PF-30PPM – Crystal Units) кварцевый резонатор
Hersteller: Crystal
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 16 MHz
Gehäuse: HC-49/S-SMD (QSMD12.3x4.5x4.2)
Typ: Резонатор кварцовий
20 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
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220uF 35V SMD (CS1V221M-CRF10)
Produktcode: 182042
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1810250019_ST-Semtech-CS1V221M-CRF10-_C97814.pdf
220uF 35V SMD (CS1V221M-CRF10)
Hersteller: FJC
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: CS
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size F
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SND0705-3R3M (3.3uH, ±20%, 3.59A, 0.027 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm) Anla Tech (Leistungsdrossel)
Produktcode: 39216
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SND-1.pdf
SND0705-3R3M (3.3uH, ±20%, 3.59A, 0.027 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm) Anla Tech (Leistungsdrossel)
Hersteller: AnlaTech/IH
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 3,3 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf Ferrithantel, 3.3uH, ±20%, Idc=3.59А, Rdc=0.027 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 7,8x7,0mm, h=5,0mm
Робочий струм, А: 3.59A
№ 7: 8504 50 20 90
auf Bestellung 184 St.:
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Anzahl Preis
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