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IRS2103SPBF

IRS2103SPBF

irs2103-63382-datasheet.pdf
Produktcode: 113361
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 В
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,130/0,270 А
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 116 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRS2103SPBF IRS2103SPBF Infineon Technologies irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 10663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.67 EUR
95+2.18 EUR
190+2.07 EUR
285+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRS2103SPBF IRS2103SPBF Infineon Technologies Infineon_IRS2103_DataSheet_v01_00_EN.pdf Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
auf Bestellung 14335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.95 EUR
25+2.7 EUR
100+2.39 EUR
250+2.26 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.09 EUR
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IRS2103SPBF IRS2103SPBF INFINEON 3121106.pdf Description: INFINEON - IRS2103SPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 600mAout Spitze, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
79+2.98 EUR
99+2.19 EUR
110+1.95 EUR
250+1.88 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRS2103SPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
IRS2103SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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IRS2103SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
auf Bestellung 14335 Stücke:
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IRS2103SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2103SPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 600mAout Spitze, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1229 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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IRFB3206PBF
Produktcode: 34412
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IRFB3206PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT
auf Bestellung 452 St.:
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LM393DR2G
Produktcode: 44810
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description lm393-d.pdf
LM393DR2G
Hersteller: ON
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: SO-8
Funktionsbeschreibung: Analog-Komparatoren, 2-36V, Dual
Versorgungsspannung Udss, V: 2...36 В
Strom Id, A: 0,016 А
Temperaturbereich: 0...+70°С
Zolltarifnummer: 8542 39 90 00
auf Bestellung 799 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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CD4049UBM
Produktcode: 175153
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datasheet_cd4049ubm.pdf
CD4049UBM
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-16
Beschreibung: Sechsfach-invertierend Puffer
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 3...15 V
auf Bestellung 24 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3022
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ECR_081225.pdf
3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 79 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.98 EUR
10+1.67 EUR
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