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IRS2111SPBF

IRS2111SPBF

irs2111pbf-dataheet.pdf
Produktcode: 113363
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 200/420 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 750/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535676679b27b3 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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219+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 219
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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228+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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228+2.44 EUR
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf-1732873.pdf Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA
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1+3.80 EUR
10+3.41 EUR
100+2.75 EUR
250+2.59 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.85 EUR
2500+1.80 EUR
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IRS2111SPBF IRS2111SPBF Hersteller : Infineon Technologies irs2111pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535676679b27b3 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: YJ/TSC
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Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 2456 Stück:
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10+0.07 EUR
100+0.06 EUR
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UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 472 Stück:
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1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
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100uF 20V ERS 8x12mm (ERS101M20B)
Produktcode: 26616
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ERS.pdf
100uF 20V ERS 8x12mm (ERS101M20B)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 20V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Макс.пульс.струм: 3320 mA
ESR: 24 mOhm
verfügbar: 120 Stück
117 Stück - stock Köln
3 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
100+0.40 EUR
1000+0.38 EUR
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Шлейф сверхплоский, 28-контактов, шаг 0,5мм (L-KLS17-FFC-0.5-28P-L70MM)
Produktcode: 110801
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KLS17-FFC-0_5datasheet.pdf
Шлейф сверхплоский, 28-контактов, шаг 0,5мм (L-KLS17-FFC-0.5-28P-L70MM)
+1
Hersteller: KLS
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Flachbandkabel
Група: Шлейф надплоский
Опис: Шлейф надплоский (FFC) 28конт. крок 0,5мм, 70мм
К-сть проводів: 28
Крок, mm: 0,5 mm
auf Bestellung 541 Stück:
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4,7uF 400V RD 10x12mm 105°C (RD2G475M1012MPA159-Samwha) (электролитический конденсатор)
Produktcode: 182627
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RD_samwha-datasheet.pdf
4,7uF 400V RD 10x12mm 105°C (RD2G475M1012MPA159-Samwha) (электролитический конденсатор)
Hersteller: Samwha
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 400 V
Reihe: RD
Temp.Bereich: загального призначення з температурою 105С
Abmessungen: -55...+105°C
Lebensdauer: 10x12 mm
№ 8: 2000 годин
auf Bestellung 473 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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