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ISO5852SDW Мікросхема

Produktcode: 222409
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISO5852SDW ISO5852SDW Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5852SDWR
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.8 EUR
10+10.66 EUR
25+9.56 EUR
120+8.9 EUR
280+8.35 EUR
520+8.32 EUR
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ISO5852SDW ISO5852SDW Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s Description: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.03 EUR
10+10.83 EUR
40+9.7 EUR
120+9.07 EUR
280+8.69 EUR
520+8.47 EUR
1000+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISO5852SDW ISO5852SDW TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -5...2.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...30V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Impulse rise time: 35ns
Input voltage: 2.25...5.5V
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: galvanically isolated
Pulse fall time: 37ns
Insulation voltage: 5.7kV
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ISO5852SDW suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s
ISO5852SDW
Hersteller: Texas Instruments
Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5852SDWR
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ISO5852SDW
Hersteller: Texas Instruments
Description: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Number of Channels: 1
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ISO5852SDW
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -5...2.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...30V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Impulse rise time: 35ns
Input voltage: 2.25...5.5V
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: galvanically isolated
Pulse fall time: 37ns
Insulation voltage: 5.7kV
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Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
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Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: Optisches Relais AC / DC DIP-8 4 kV 25/120 mA 400 V 2000/2000 μs -40 ... + 85 ° C
Abmessungen: DIP-8
Spulenspannung: 0...400 VDC
Strom max.: 0,12 A
Kontaktkonfiguration: DPST(2A)
Schaltspannung: 400 VDC
8542 39 90 00
auf Bestellung: 133 St.
  • 133 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.55 EUR
10+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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