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ISO5852SDW Мікросхема

Produktcode: 222409
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISO5852SDW ISO5852SDW TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -5...2.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: galvanically isolated
Pulse fall time: 37ns
Insulation voltage: 5.7kV
Kind of package: tube
Impulse rise time: 35ns
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 15...30V DC
Input voltage: 2.25...5.5V
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.75 EUR
10+8.64 EUR
40+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISO5852SDW ISO5852SDW Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5852SDWR
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.8 EUR
10+10.66 EUR
25+9.56 EUR
120+8.9 EUR
280+8.35 EUR
520+8.32 EUR
1000+8.08 EUR
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ISO5852SDW ISO5852SDW Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s Description: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.03 EUR
10+10.83 EUR
40+9.7 EUR
120+9.07 EUR
280+8.69 EUR
520+8.47 EUR
1000+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISO5852SDW suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso5852s
ISO5852SDW
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -5...2.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: galvanically isolated
Pulse fall time: 37ns
Insulation voltage: 5.7kV
Kind of package: tube
Impulse rise time: 35ns
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 15...30V DC
Input voltage: 2.25...5.5V
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ISO5852SDW
Hersteller: Texas Instruments
Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5852SDWR
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ISO5852SDW
Hersteller: Texas Instruments
Description: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
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2+14.03 EUR
10+10.83 EUR
40+9.7 EUR
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280+8.69 EUR
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