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IXDH20N120D1

IXDH20N120D1 Littelfuse

littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdh20n120___datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 38A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXDH20N120D1 Littelfuse

Description: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.4mJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 200 W.

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IXDH20N120D1 IXDH20N120D1 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdh20n120___datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 38A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXDH20N120D1 IXDH20N120D1 Hersteller : IXYS media-3323806.pdf IGBT Transistors 20 Amps 1200V
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IXDH20N120D1 IXDH20N120D1
Produktcode: 114512 		littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdh20n120___datasheet.pdf.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXDH20N120D1 IXDH20N120D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 38A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXDH20N120D1 IXDH20N120D1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdh20n120___datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 200 W
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IXDH20N120D1 IXDH20N120D1 Hersteller : IXYS IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
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