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IXER60N120

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Produktcode: 74174
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details IXER60N120

  • IGBT, ISOPLUS247
  • Transistor Type:IGBT
  • DC Collector Current:95A
  • Max Voltage Vce Sat:2.1V
  • Max Power Dissipation:375W
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2kV
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Case Style:ISOPLUS-247
  • Fall Time Tf:50ns
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.33`C/W
  • Max Current Ic Continuous a:95A
  • Pin Configuration:Single
  • Power Dissipation:375W
  • Rise Time:50ns
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:NPN
  • Voltage Vces:1200V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXER60N120 IXER60N120.pdf description IGBT NPT3 1200V 95A ISOPLUS247 Транзистори
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IXER60N120 IXER60N120 IXYS IXER60N120.pdf description Description: IGBT NPT 1200V 95A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 7.2mJ (on), 4.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
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IXER60N120 IXYS l519-1547838.pdf description IGBT Transistors 60 Amps 1200V
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IGBT NPT3 1200V 95A ISOPLUS247 Транзистори
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IXER60N120
Hersteller: IXYS
Description: IGBT NPT 1200V 95A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 7.2mJ (on), 4.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
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Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 60 Amps 1200V
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