IXFK34N80
Produktcode: 43387
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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| IXFK34N80 |
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IXFK34N80 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube |
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IXFK34N80 | Hersteller : IXYS |
MOSFET 800V 34A |
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IXFK34N80 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 34A Power dissipation: 568W Case: TO264 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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