IXFN32N80P
Produktcode: 114602
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFN32N80P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN32N80P | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules 29 Amps 800V 0.27 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |